Transistor più veloci (per PC più potenti)

Il team di ricercatori di AMD ha per primo raggiunto nel mercato dei semiconduttori importanti traguardi tecnologici, essenziali per lo sviluppo di transistor di nuova generazione. Nel corso di un progetto di laboratorio che sarà presentato il giugno prossimo, i ricercatori AMD hanno creato e sperimentato un transistor ad alte prestazioni la cui velocità può superare anche del 30% quella dei migliori transistor P-MOS (P-channel Metal-Oxide Semiconductor) disponibili oggi sul mercato. Il nuovo transistor sfrutta tecnologie proprietarie AMD basate su Fully Depleted Silicon-on-Insulator. Utilizzando con successo la tecnologia metal gates, i ricercatori AMD sono stati anche i primi a realizzare un transistor in tecnologia strained silicon capace di raggiungere prestazioni del 20%-25% superiori rispetto a quelle dei componenti strained silicon convenzionali.
Siccome i microprocessori sono fatti di transistor, avremo processori più veloci e con un consumo di energia inferiore.